Kioxia员工获得日本文部科学省颁发的科技奖

2023年04月21日 08:40:10

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东京--(美国商业资讯)--Kioxia Corporation是全球内存解决方案领域的领导者,于今天宣布其员工发明了高密度三维闪存存储设备及其制造方法,并获得了日本文部科学省颁发的科技奖。该技术大大提高了存储容量,并降低了制造成本。

每年,日本文部科学省都会将该奖项颁发给在研发领域取得杰出成就,并提高了公众对日本科技认知的个人。

Kioxia获奖者有:

· Ryota Katsumata:内存事业部高级内存开发中心总经理助理

· Masaru Kito:内存事业部高级内存开发中心组长

· Hideaki Aochi:内存技术研发所设备技术研发中心高级专家

· Masaru Kido:内存开发战略事业部首席专家

· Hiroyasu Tanaka:内存开发战略事业部首席专家

获奖技术概览

闪存技术已经广泛应用于数据存储的各个领域,包括智能手机和数据中心。预计,闪存技术的需求将会继续增长。

此次获奖的三维闪存技术是一种突破性的方法,大大简化了垂直堆叠存储单元的制造工艺,实现了高密度的三维闪存存储。传统堆叠方法需要重复的沉积和构图工艺来制造存储单元阵列,而这项获奖技术采用的方法是先堆叠存储单元的材料,然后使用一次性构图工艺同时制作每个单元,从而显著减少了工艺步骤。随着传统二维闪存中微型化技术的发展趋于物理极限,越来越多的市场主导产品开始采用大容量、高性能的三维闪存技术。自从2015年开始商业化三维闪存BiCS FLASH™以来,Kioxia一直致力于提高堆叠密度。上个月,Kioxia发布了其218层大容量、高性能三维闪存技术BiCS FLASH™。

这项三维闪存技术还在2020年获得了国家发明奖的帝国发明奖项,并在2021年获得了IEEE Andrew S. Grove奖。

Kioxia以“存储”助力世界发展的使命为指导,致力于通过研究和技术发展,为世界各地的人们创造价值。

关于Kioxia

Kioxia是全球存储器解决方案领域的领军企业,致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身是Toshiba Memory,于2017年4月从Toshiba Corporation(1987年发明了NAND闪存)剥离出来。Kioxia致力于凭借存储器技术促进世界发展,该公司提供各种产品、服务和系统,为客户提供多样化选择,并基于存储器技术创造价值,推动社会的发展。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域(包括高级智能手机、PC、SSD、汽车和数据中心)的未来。

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CONTACT:

Kota Yamaji
公关部
Kioxia Holdings Corporation
+81-3-6478-2319
kioxia-hd-pr@kioxia.com

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