旨在为解决社会问题做出贡献
东京--(美国商业资讯)-- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.（总部：东京；社长：Yasuhiko Saitoh）已确定QST® (Qromis Substrate Technology)基板*1是实现高性能、高能效GaN（氮化镓）功率器件的社会化应用的必备材料，该公司将推动这些产品的开发和上市。
由于QST®基板的设计具有与GaN相同的热膨胀系数(CTE)，因此可以抑制GaN外延层的翘曲和裂纹，从而实现大直径、高质量的厚GaN外延生长。利用这些特性，该产品有望应用于近年来快速增长的功率器件和射频器件（5G及超5G），以及MicroLED显示器的MicroLED增长等领域。
除了销售QST®基板外，Shin-Etsu Chemical还将根据客户要求销售GaN生长QST®基板。我们目前拥有6英寸和8英寸直径的基板产品系列，并且正在开发12英寸直径基板。自2021年以来，针对功率器件、射频器件和LED的各种应用，我们正与日本和全球众多客户合作进行样品评估和器件开发。特别是对于功率器件，正在对宽电压范围（650V至1800V）的器件进行持续评估。
迄今为止，Shin-Etsu Chemical对其QST®基板已多次进行了多项改进。其中一个例子是显著改进了源自键合工艺的缺陷问题，从而实现了高质量QST®基板的供应。此外，针对众多客户要求的更厚的GaN薄膜，我们还推动了提供具有优化缓冲层的模板基板，使客户能够实现厚度超过10μm的薄膜的稳定外延生长。另外，我们还取得了各种成功的结果并进行了报告，包括使用QST®基板实现超过20μm的厚膜GaN生长，以及在功率器件中实现了1800V的击穿电压*2。
此外，Shin-Etsu Chemical和Oki Electric Industry Co., Ltd.还共同成功开发了一项技术，可从QST®基板上剥离GaN，并使用晶膜键合(CFB)*3技术将其键合到不同材料制成的基板上。到目前为止，大多数GaN功率器件都是横向器件，但CFB技术利用QST®基板的特性，通过从绝缘QST®基板剥离一层厚厚的高质量氮化镓，实现了可控制大电流的垂直功率器件。对于制造GaN器件的客户，Shin-Etsu Chemical将提供QST®基板或GaN生长QST®基板，Oki Electric Industry将通过合作或授权许可的方式提供其CFB技术。这两家公司希望通过这种方式，为促进垂直功率器件的发展做出贡献。
基于这些发展成果，并根据客户提出的业务情况咨询，Shin-Etsu Chemical将继续增加产量，以满足客户需求。
Shin-Etsu Chemical将进一步推动具有未来社会必不可少的特征的GaN器件实现社会化应用，为实现高效利用能源的可持续发展社会做出贡献。
Shin-Etsu Chemical将在SEMICON Taiwan展会上展示该产品的开发进展，该展会将于2023年9月6日至8日在中国台湾举行。
*1：QST®基板由Qromis, Inc.（总部：加利福尼亚州圣克拉拉；首席执行官：Cem Basceri）开发的复合材料基板，专用于GaN生长，并于2019年授权给Shin-Etsu Chemical。QST®是Qromis, Inc.在美国持有的注册商标（注册号为5277631）。
*2：请参阅下面的imec新闻稿（2021年4月）。
https://www.imec-int.com/en/press/imec-and-aixtron-demonstrate-200-mm-gan-epitaxy-aix-g5-c-1200v-applications-breakdown-excess
*3：CFB技术是一种从基板上剥离GaN外延层的技术，是Oki Electric Industry的注册商标。
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