日本川崎--(美国商业资讯)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”)扩大了其采用最新一代工艺制造的N沟道功率MOSFET产品线[1]，该产品采用适合数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器的600V超级结结构。新产品“TK055U60Z1”是DTMOSVI系列中的首款600V产品，自即日起开始发货。
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通过优化栅极设计和工艺，与具有相同漏源电压额定值的Toshiba当前一代DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品单位面积漏源导通电阻降低约13%，MOSFET性能品质因数漏源导通电阻×栅漏电荷约降低52%，从而确保该系列同时实现低导通损耗和低开关损耗，有助于提高开关电源的效率。
新产品采用TOLL封装，可实现其栅极驱动的信号源端子开尔文连接。封装中源极线中电感的影响得以降低，从而增强MOSFET的高速开关性能，抑制开关期间的振荡。
Toshiba将继续扩大其600V DTMOSVI系列产品阵容，及其已经发布的650V DTMOSVI系列产品，并通过降低开关电源的功率损耗来支持节能。
注：
[1] 截至2023年6月。
应用
· 数据中心（服务器用开关电源等）
· 光伏发电机功率调节器
· 不间断电源系统
特点
· 实现低漏源导通电阻×栅漏电荷，并实现高效率开关电源
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主要规格 |
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（如无其他规定，Ta=25°C） |
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部件号 |
TK055U60Z1 |
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绝对最大 额定值 |
漏源电压VDSS (V) |
600 |
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漏极电流(DC) ID (A) |
40 |
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沟道温度Tch (°C) |
150 |
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电气特性 |
漏源导通电阻 RDS(ON) (mΩ) |
VGS=10V |
最大 |
55 |
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总栅极电荷Qg (nC) |
典型 |
65 |
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栅极漏极电荷Qgd (nC) |
典型 |
15 |
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输入电容Ciss (pF) |
典型 |
3680 |
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封装 |
名称 |
TOLL |
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尺寸(mm) |
典型 |
9.9×11.68, t=2.3 |
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样品检查和供应情况 |
在线购买 |
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Toshiba：DTMOSVI系列的600V N沟道功率MOSFET TK055U60Z1。（图示：美国商业资讯）
