日本川崎--(美国商业资讯)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下简称“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，这是一款额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET，用于锂离子(Li-ion)电池组（例如移动设备电池组）的电池保护电路中。今天开始发货。
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锂离子电池组依靠高度稳健的保护电路来减少充电和放电时产生的热量并提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，需要能够提供低导通电阻的小巧轻薄型MOSFET。
SSM14N956L采用Toshiba的微工艺，已经发布的SSM10N954L也是如此。这就确保了低功率损耗（由于行业领先的[1]低导通电阻特性）和低待机功率（通过行业领先的[1]低栅源漏电流特性实现）。这些品质有助于延长电池的工作时间。新产品还采用了全新的小型薄型封装TCSPED-302701（2.74mm x 3.0mm，t = 0.085mm (typ.)）。
Toshiba将继续开发MOSFET产品，用于锂离子电池组供电设备中的保护电路。
应用
· 使用锂离子电池组的消费类电子产品和办公及个人设备，包括智能手机、平板电脑、移动电源、可穿戴设备、游戏机、电动牙刷、小型数码相机、数码单反相机等。
特性
· 行业领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V
· 行业领先的[1]低栅源漏电流：IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
· 小巧轻薄型TCSPED-302701封装：2.74mm x 3.0mm，t=0.085mm (typ.)
· 共漏极结构，可轻松用于电池保护电路中
注意：
[1]：在具有相同评级的产品中。截至2023年5月的数据，基于Toshiba的调查结果。
主要规格
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（除非另有说明，Ta=25°C） |
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部件编号 |
SSM14N956L |
SSM10N954L[2] |
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配置 |
N沟道共漏极 |
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绝对 |
源极电压VSSS (V) |
12 |
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栅极电压VGSS (V) |
±8 |
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拉电流（直流）IS (A) |
20.0 |
13.5 |
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电气 |
栅极漏电流IGSS max (μA) |
@VGS＝ ±8V |
±1 |
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源极 typ. (mΩ) |
@VGS＝4.5V |
1.00 |
2.1 |
|
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@VGS＝3.8V |
1.10 |
2.2 |
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|
@VGS＝3.1V |
1.25 |
2.4 |
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@VGS＝2.5V |
1.60 |
3.1 |
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封装 |
名称 |
TCSPED-302701 |
TCSPAC-153001 |
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典型尺寸(mm) |
2.74x3， t=0.085 |
1.49x2.98， t=0.11 |
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抽样检查和供货情况 |
在线购买 |
在线购买 |
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注意：
[2]已发布产品。
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SSM14N956L
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SSM14N956L
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关于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是先进半导体和存储解决方案的领先供应商，凭借半个多世纪的经验和创新，为客户和商业伙伴提供卓越的离散半导体、系统LSI和HDD产品。
公司在全球各地的2.15万名员工同心同德，竭力实现公司产品价值的最大化，同时重视与客户的密切合作，促进价值和新市场的共同创造。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation期待在近8000亿日元（61亿美元）的年度销售额基础上再接再厉，为全人类创造更加美好的未来。
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Toshiba：SSM14N956L，一款小巧轻薄型共漏极MOSFET，具有极低导通电阻（图示：美国商业资讯）
